第三章 笔试经验

今年校招受疫情影响，大多数公司的笔试都是线上的，还有一部分公司就没有笔试。华为笔试是选择题的形式，多选和单选，考察面很广还涉及一小部分器件和工艺，但是因为达到分数线比较简单所以做对送分题就很容易通过。据我了解华为有一些面试官面试的时候喜欢问你笔试做错的题目，所以笔试完要把当时不会的题目搞懂。剩下大多数公司都是计算大题拍照上传的形式来进行笔试的。高频考点包括：带隙、运放、反馈、传输函数和噪声。比较简单的计算几个管子的增益也会有，画输入变化输出变化草图的这种题也有。总之就是刷好拉扎维相关章节搞定笔试就不是什么大问题。对于课后题如果时间不充裕不需要每一道都刷，但是书上的例题一定要都会做，书上例题变形是高频考点。简单的拉氏变换和它的逆变换要知道，经常有算出s域传输函数之后转换到时域的题目。下面我简单举几个例子。

先举几个华为笔试选择题的例子。华为笔试考察的知识点非常广，可以说是书上有的都考，书上没有的也考。比较基础的会考察一些非理想效应，比如沟长调制效应，体效应等等。其中零极点的题是比较多的，会让判断左/右半平面极点、零点对相频特性的影响，也会给出一个电路让推算有几个零点有几个极点，还会给一个电路让计算S域传输函数。虽然是选择题，但是我觉得没有简单做法，还是要用笔算出传输函数来进行选择。还会出一些图像类的题，比如给出一个共源/共漏/共源共栅的电路图，问输出随输入的变化是怎么样的。这种题一般书上都有类似的分析，但是书上可能非理想效应没有完全考虑，再做题的时候可以使用排除法来分析。还有就是阈值电压、增益、输入/输出电阻随沟道长度、温度、衬底电压等等参数的变化图。版图方面的问题也有可能有，比如会问对噪声敏感的模块应该怎样走线，对匹配要求较高的模块应该怎样布局，什么时候应该使用高层金属，什么时候使用低层金属，还会考察STI效应。这类问题书上的电流镜版图是重点，也要学会共质心匹配。另外除了MOS管，三极管也会考，但是涉及不深，主要是一些公式类的，考之前大概看一下三极管的公式就可以了。比较难的问题会考察LDO、ADC、PLL、ACDC等等各个模块的参数，特点等等，这类问题遇到不是自己熟悉方向的就没什么办法了。器件方面的问题会考察ESD可靠性方面，MOS制备工