版图设计工程师笔试真题·应用题（含答案）
1.CMOS闩锁效应的实质是什么？解释其工作机理？
当源/漏扩散区相对背栅正偏时，会向邻近器件的反偏结注入少子。相邻的NMOS 和PMOS 晶体管相互交换少子会引发CMOS 闩锁效应。少子保护环可以防止闩锁效应，但是在CMOS 工艺中不易实现。
2. 详尽描述MOS 晶体管的匹配规则
1）采用相同的叉指图形
2）采用大面积的有源区
3）对于电压匹配，保持较小的Vgst 值
4）对于电流匹配，保持较大的Vgst 值
5）采用薄氧化层器件代替厚氧化层器件
6）使用晶体管的方向一致
7）晶体管应相互靠近
8）匹配晶体管的版图应尽可能紧凑
9）如果可能，应采用共质心版图结构
10）避免使用极短或者极窄的晶体管
11）在晶体管的末端放置陪衬（虚拟）段
12）把晶体管放置在低应力梯度区域
13）晶体管应与功率器件距离适当
14）有源栅区上方不能放置接触孔
15）金属布线不能穿过有源栅区
16）使所有深扩散结远离有源栅区
17）精确匹配晶体管应放置在芯片的对称轴上
18）不要让NBL 阴影与有源栅区相交
19）用金属条连接栅叉指
20）尽量使用NMOS 晶体管而非PMOS 晶体管。
3、什么是介质击穿，介质击穿的防护措施有哪些？
介质击穿是指受过量电压或其他形式的过应力影响的绝缘体退化或最终失效。现代CMOS 和BiCMOS 工艺使用超薄介质层。介质击穿涉及一种称为隧穿的过程，即允许载流子字短距离穿越似乎难以逾越的势垒。它分为直接电子隧穿，陷阱助隧穿，Fowler-Nordheim 隧穿。
防护措施：所有不同形式的介质击穿都是由于氧化层或其他薄绝缘层上承受的过强电场造成的，因此，避免过强电场的出现可以起防护作用，但很难精确决定 多强的电场会达到过量。制造过程中的不同问题都会减小工艺的栅氧完整性（GOI），过压应力测试（OVST）可以在器件送达客户之前检测出GOI 缺陷。
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