多波束掩膜写入器，未来几年年复合增长率CAGR为13.8%

多波束掩膜写入器全球市场总体规模

掩模写入器是一种利用电子束照射在模板上绘制精细电子电路图案的设备，该模板由涂有光敏树脂的石英玻璃基板形成。单束掩模写入器通过将单个电子束集中在电磁场的一个位置上，然后通过偏振器将光束偏转到要照射的位置来将数据写入掩模。通过重复光束偏转，然后移动安装基板的舞台，可以创建大型电路图案。多束掩模写入器使用数千个微小光束，与基于可变形状光束（VSB）的工具相比，可以更快地制作或写入先进的掩模。随着芯片微型化使器件设计更加复杂，并需要使用更多的掩模，多束系统的需求正在增加。 

多束掩模写入器根据生产节点可分为7nm及以上、5nm和3nm及以下等类型。7nm及以上节点的多束掩模写入器主要用于消费电子领域，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等高性能计算设备，以及数据中心的高性能服务器和网络设备。此外，它还应用于汽车领域的高级驾驶辅助系统（ADAS）和车载信息娱乐系统，以及物联网设备中的智能家居设备和连接传感器。5nm节点的多束掩模写入器适用于高性能计算（HPC）任务，如人工智能和机器学习，以及旗舰智能手机的尖端处理器和高性能网络设备。3nm及以下节点的多束掩模写入器则用于下一代消费电子设备的超高性能芯片，如先进智能手机和其他便携设备，以及下一代数据中心、超级计算机和专用AI加速器等先进高性能计算领域，同时在量子计算和先进AI系统等新兴技术中也有广泛应用。台积电预计在2025年安装并投产其2nm光刻机。

多束掩模写入器的应用领域可以分为晶圆制造商和EUV掩模制造商等主要细分市场。晶圆制造商如台积电和三星通常使用自产光罩，以满足其先进制程的需求。EUV掩模制造商则包括一些领先的商业光罩供应商，如Photronics和DNP，这些供应商需要多束掩模写入器来生产高精度的EUV掩模。随着芯片制造技术的不断进步，EUV掩模的需求持续增长，推动了多束掩模写入器市场的扩展。

据QYResearch调研团队最新报告“全球多波束掩膜写入器市场报告2025-2031”显示，预计2031年全球多波束掩膜写入器市场规模将达到21.7亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为13.8%。

图.   多波束掩膜写入器，全球市场总体规模

多波束掩膜写入器市场的增长主要受到以下几个驱动因素的推动。首先，随着消费电子、汽车、电信和医疗等行业对先进半导体设备的需求不断增加，多波束掩膜写入器作为制造高精度光罩的关键设备，其市场需求也随之增长。其次，半导体节点尺寸的不断缩小（如5nm、3nm及以下）对掩膜写入的精度和效率提出了更高要求，多波束掩膜写入器因其并行写入能力，能够显著提高生产效率并降低制造成本，成为行业的首选技术。此外，人工智能（AI）、物联网（IoT）和5G技术的快速发展，推动了对高性能芯片的需求，这进一步刺激了多波束掩膜写入器市场的扩张。最后，随着芯片设计复杂性的增加，多波束掩膜写入器凭借其高精度和高吞吐量，能够有效满足复杂芯片设计的需求。

图.   全球多波束掩膜写入器市场前2强生产商排名及市场占有率（基于2025年调研数据；目前最新数据以本公司最新调研数据为准） 

根据QYResearch调研，全球多波束掩膜写入器的主要制造商包括IMS Nanofabrication和NuFlare Technology。IMS Nanofabrication开发并生产了全球首个用于半导体行业的多波束掩膜写入器。2024年，IMS Nanofabrication占据了81.52%的收入份额。

多束掩模写入器行业正面临诸多发展机遇。随着半导体技术不断进步，尤其是极紫外光刻（EUV）技术的广泛应用，对高精度掩模的需求持续攀升。台积电、三星等领先晶圆制造商通常采用自产光罩，以满足其先进制程对图形精度与工艺控制的严苛要求。EUV掩模作为先进制程中不可或缺的关键材料，其市场增长主要受益于芯片制造向更小节点的持续演进，进而带动了多束掩模写入器需求的快速增长。此外，技术进步和新兴应用的推动也不断拓宽MBMW在高端市场的应用空间，提升其整体竞争力。

然而，该行业同样面临不少挑战。首先，市场准入门槛高，技术复杂度大，初始投入成本高，新进入者需面对较大的研发和资本压力。其次，产品定价高且利润空间波动较大，供需关系的变化加剧了市场的不确定性，尤其在高端产品领域表现更为明显。地缘政治因素和汇率波动也增加了出口风险，迫使部分企业加快产能向海外转移。此外，日益严格的环保法规对中小企业提出了转型升级的迫切要求。随着芯片设计复杂性的不断提升，多束掩模写入器还需持续进行技术创新，以满足对更高精度与更高效率的市场期待。